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三氯氢硅中痕量磷检测气相色谱仪

三氯氢硅中痕量磷检测气相色谱仪

产品型号: GC3900

所属分类:天然气热值分析气相色谱仪

产品时间:2020-06-29

简要描述:针对上述现状,我们瑞能工程师经过多年的经验,与大量的切合实战分析,出测定三氯氢硅中痕量磷检测分析“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪"。进几年瑞能已在行业多个生产厂家得到应用,与价格昂贵的“ICP-MS"法比较有廉价实用,快速测定,痕量(≤0.06PPb)分析,耗材低等特性。对于快速反应指导三氯氢硅生产工艺,加提纯硅产品,为社会提供优质的单晶硅产品,是我们瑞能公司

详细说明:

(测定三氯氢硅中痕量磷仪器GC3900)
一、 前言
半导体硅材料中磷含量的高低,直接影响器件的电性能。随着硅材料研究及生产的不断提高,对于原材料三氯氢硅中磷的测试灵敏度、速度、准确度提出高要求。
三氯氢硅中杂质磷的分析,传统的方法为将杂质磷转变成磷钼杂多酸,再还原成磷钼蓝进行比色测定。在此基础上后来有改进,诸如经苯肟酮或硫氰化铵比色测定钼,或利用化学光谱法测出钼量进而间接换算出磷含量;取样量等。虽然在灵敏度上有提高,但都要经过使磷形成磷钼杂多酸这一过程。为要形成稳定的络合物来分离基本和消除杂质干扰,化学分离手续相当繁杂,分析时间长,而且,测定灵敏度也不能满足生产上的要求。
滕州瑞能分析仪器有限公司 为了提高三氯氢硅中杂质磷分析灵敏度和速度,相关科研人员为此做了大量工作,并取得了成绩。例如,有专家采用气相色谱法测定了三氯氢硅中以PCL3与POCL3形式存在的磷含量。然而,三氯氢硅中杂质磷还可能以其他形式存在(例如,PCL5、PSCL3),因此,欲采用气相色谱法测定总磷含量,首先要保证样品中以各种形式存在的磷都能从分离柱中流出,这无疑是一项很艰巨的工作,至今尚未见到报道。又例如,有专家采用“ICP—MS”法测定三氯氢硅中痕量杂质磷,测试方法虽然简捷,遗憾的是,测定灵敏度下限仅为0.3PPb,不能满足多晶硅生产工艺对三氯氢硅中杂质磷的分析要求(工艺要求三氯氢硅中杂质磷含量应小于0.1PPb)。

二、滕州瑞能分析仪器有限公司研制出测定三氯氢硅中痕量磷仪器“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪”。
针对上述现状,我们瑞能工程师经过多年的经验,与大量的切合实战分析,研制出测定三氯氢硅中痕量磷仪器“高温氢还原—火焰光度气相色谱仪”。进几年瑞能已在国内硅行业多个生产厂家得到应用,与价格昂贵的“ICP-MS”法比较有廉价实用,快速测定,痕量(≤0.06PPb)分析,耗材低等特性。对于快速反应指导三氯氢硅生产工艺,加提纯硅产品,为社会提供优质的单晶硅产品,是我们瑞能公司推出此套分析仪器的宗旨,也是您可信赖的合作伙伴。

三、GC3900仪器的特点和指标
1、 所测三氯氢硅中杂质磷含量为总磷含量;
2、 三氯氢硅中杂质磷含量测定下限为0.06PPb;
3、 测定手续简便只需用注射针筒向仪器注入三氯氢硅即可;
4、 测定周期短,自注入三氯氢硅到测出磷化氢峰高(或面积)需时20分钟;
5、 仪器结构简洁、直观,便于使用和维修。

     



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